中晶科技获氮化镓衬底剥离发明专利

近日，国家知识产权局发布《授予发明专利权通知书》，授予中晶科技一项发明专利“一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法”（专利号：202210989870.0），截止目前，公司已累计取得各类专利授权50余项，其中发明专利授权18项，技术布局覆盖半导体材料加工核心环节。

氮化镓作为第三代半导体核心材料，在5G、新能源汽车等领域需求激增。中晶科技的技术突破将加速氮化镓衬底的规模化应用，助力Micro-LED、高频功率器件等新兴领域产业化进程，并降低对进口材料的依赖。

此次专利的取得，将有助于公司在氮化镓材料加工等新领域寻求机遇，为后续转型升级打下良好基础。

未来，中晶科技将持续加大研发投入，推动半导体材料提质增效进程，助力产业升级。